삼성 HBM4, 엔비디아 테스트서 11Gbps 돌파

삼성 HBM4, 엔비디아 테스트서 11Gbps 돌파

루빈 AI칩 ‘최고 평가’…미국 2nm 공장 증산으로 TSMC 추격 가속

삼성전자가 차세대 고대역폭 메모리(HBM)와 파운드리 공정 양면에서 의미 있는 성과를 거두며, 글로벌 반도체 경쟁의 중심으로 다시 부상하고 있습니다.
특히 엔비디아 차세대 AI 가속기 ‘루빈(Rubin)’ 테스트에서 삼성 HBM4가 최고 평가를 받으면서, 시장의 시선이 빠르게 삼성으로 쏠리고 있습니다.

🔹 삼성 HBM4 12단, 엔비디아 품질 평가서 ‘최우수’

엔비디아는 차세대 AI 가속기 루빈 플랫폼에 적용될 HBM4 12단 제품에 대해 성능·전력효율 테스트를 진행했으며,
그 결과 삼성전자의 HBM4가 경쟁사 대비 가장 우수한 평가를 받은 것으로 전해졌습니다.

현재 루빈 AI 칩 공급을 두고

• 삼성전자
• SK하이닉스
• 마이크론

이 3개 업체가 경쟁 중인데, 삼성이 속도와 효율 모두에서 앞선 성능을 입증한 것입니다.

 

🔹 핀당 11Gbps…엔비디아 기준 초과 달성

삼성 HBM4의 핵심 경쟁력은 속도입니다.

• 삼성 HBM4 전송속도: 핀당 11Gbps
• 엔비디아 루빈 요구 사양: 10Gbps

즉, 엔비디아 기준을 넘어서는 성능을 이미 구현한 상태입니다.

여기에 더해 삼성은 10nm 6세대(1c) D램 공정을 선제적으로 적용했습니다.
반면 마이크론은 1b(5세대) 공정을 기반으로 하고 있어, 공정 세대 차이에서도 삼성의 기술 우위가 부각됩니다.

참고로 SK하이닉스 역시 11Gbps 이상 속도를 구현했다고 밝혔지만,
이번 엔비디아 테스트에서는 삼성 제품이 종합 평가에서 가장 높은 점수를 받은 것으로 알려졌습니다.

 

🔹 엔비디아, 삼성에 예상 초과 물량 요청

보도에 따르면 엔비디아는

• 삼성 HBM4 품질 테스트 통과 사실을 직접 통보했고
• HBM4 시스템 인 패키지(SiP) 진행 상황을 논의하기 위해 직접 접촉했습니다.

특히 눈길을 끄는 부분은 당초 예상보다 훨씬 많은 물량을 삼성에 요청했다는 점입니다.
이는 단순한 샘플 테스트를 넘어, 본격적인 양산 공급을 전제로 한 움직임으로 해석됩니다.

 

🔹 2026년 상반기 공급 유력…HBM 시장 판도 변화 가능성

업계에서는 AI 가속기 출시 6~7개월 전 HBM 납품이 완료되는 점을 감안할 때,
삼성이 2026년 2분기부터 엔비디아에 HBM4를 본격 공급할 가능성이 크다고 보고 있습니다.

그동안 시장에서는

“삼성이 경쟁사 대비 HBM4 일정이 약 3개월 늦다”

라는 분석이 많았지만,
성능 우위가 공식적으로 확인되면서 시장 신뢰 회복의 전환점이 마련됐다는 평가가 나옵니다.

현재 HBM 시장 점유율은

• SK하이닉스: 57% (1위)
• 삼성전자: 2위 (마이크론 추월)

삼성 HBM4의 성능이 본격 반영될 경우, 점유율 격차 축소 가능성도 충분히 거론됩니다.

 

🔹 美 테일러 공장, 4nm 철회하고 2nm GAA로 전환

삼성전자는 메모리뿐 아니라 파운드리 전략에서도 과감한 결단을 내렸습니다.

미국 텍사스주 테일러 공장의 생산 계획을

• 기존 4nm 공정 확대 → 전면 철회
• 2nm 게이트올어라운드(GAA) 공정 집중

으로 수정했습니다.

이로써 삼성은 미국 내에서 2nm GAA 칩을 최초로 생산하는 기업이 될 가능성이 높아졌습니다.

 

🔹 월 5만 장 증산…TSMC와 정면 승부

테일러 공장의 변화 포인트는 다음과 같습니다.

• 초기 생산 목표: 월 2만 장
• 변경 후 목표: 월 5만 장
• 2027년 목표: 월 10만 장

이미 ASML의 EUV 장비 설치가 완료되며, 본격적인 전환 작업이 진행 중입니다.

삼성은 첫 2nm GAA 칩셋인 엑시노스 2600의

• 초기 수율: 약 50%
• 이후 점진적 개선 중

이라고 공식적으로 밝혔습니다.

이는 TSMC의 초기 2nm 양산 규모에 대응하기 위한 전략적 선택으로 해석됩니다.

 

🔹 테슬라·글로벌 고객 확보…2nm 수주 본격화

삼성은 이미

• 테슬라와 165억 달러(약 23.6조 원) 규모 AI6 칩 계약을 체결했고
• 중국 암호화폐 장비 업체 2곳으로부터 2nm GAA 주문도 확보한 상태입니다.

향후 테일러 공장은

• 2세대 2nm GAA 노드의 핵심 생산 거점
• 3세대 변형 공정 SF2P+ (2년 내 상용화)

까지 담당할 것으로 전망됩니다.

 

🔹 결론: HBM4 + 2nm, 삼성 반도체 반등의 신호탄

시장 전문가들은 이번 흐름을 두고 다음과 같이 평가합니다.

• ✅ HBM4 성능 우위 입증
• ✅ 엔비디아 공급 확대 가능성
• ✅ 미국 내 2nm 생산 체제 구축
• ✅ 메모리·파운드리 동시 경쟁력 회복

삼성전자는 이제

• 메모리에서는 SK하이닉스 추격,
• 파운드리에서는 TSMC와 정면 승부

라는 두 갈래 전선에서 다시 한 번 글로벌 반도체 판도 변화의 중심에 서고 있습니다.

2026년을 기점으로, 삼성 반도체의 진짜 반격이 시작될 가능성이 점점 커지고 있습니다.

 

출처 : 글로벌이코노믹 [ 삼성 HBM4, 엔비디아 테스트서 11Gbps 속도...마이크론 제처 - 글로벌이코노믹]

 

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